3D-半導体/モジュールサブコミティ活動状況

活動方針

  • 組み込みシステムで用いられる多品種、多用途のSoC/ASICを、最先端テクノロジを使ったシングル・チップで作り続ける事は、開発期間や開発費用を考慮すると限界にきている。TSVやマイクロバンプなど3D実装技術を用いた、様々なチップを組み合わせたマルチチップ設計が解決策として期待されており、そのためのマルチチップI/F設計仕様に注力する。
  • 材料、製造方法などのノウハウに関する競争領域には踏み込まない。

2017年度活動計画

  • TSV回路モデル / 測定方法規格化継続推進
  • 3D-ICダイ間のテスト手法の標準化検討
  • 樹脂インターポーザ (2.5D) 検証、Si / Glassの調査

2016年度成果

  • TSV回路モデルと測定方法:
    • IEC SC47A ボストン大会(5月)にてNP案が可決。
    • フランクフルト大会(10月)を経て10/24にCDを提出。
  • 次の標準化アイテム探索:
    • 3D-ICダイ間の検査手法に着目して研究開発動向をヒヤリング
  • 各種インターポーザ ( Si / Glass / 樹脂 ) での実証実験(配線性、電気特性):
    • 樹脂インターポーザの試作完。

2016年度活動計画

  • 2.5Dインターポーザでの実証実験(配線実現性、電気的特性など)
  • 3D半導体のTSV測定規格のIEC提案(CD提出)
  • 次期標準化アイテムの探索

2015年度成果

  • TSV回路モデルと測定方法について、IEC SC47A ミンスク大会(10月)にて PWI(NP案) を再提案。フィードバックを反映して、SC47Aにドキュメント提出。
  • 3D/2.5D/2.1D-ICの配線実現性や電気的特性を検証するために、第1ステップとして樹脂インターポーザ(2.1D)の評価パターン仕様案を作成。今後、試作・評価を実施予定。
  • PKG電気的特性サブコミティとの合同/コラボ活動
    • HBM 2.5D Siインターポーザの解析結果を議論
  • セミナー開催: 2件

2014年度成果

  • 3D-SiP/Si インターポーザのチップ間インターフェイス仕様標準化
    • (論理層(データリンク層)のまとめ、TSV関連測定法NP提案ドキュメント作成)
  • セミナー開催: 2件
  • IEC SC47A 東京大会(11月)においてPWI(NP案)を説明。フィードバックを反映して   今年度中にドキュメント提出予定
  • PKG電気的特性サブコミティとの合同/コラボ活動
    • HBMをモチーフに2.5D Siインターポーザの設計実施し 設計データを取得。特性解析が今後の課題。

2013年度成果

  • 2012年度に議論した3D-IC仕様をIECに提案
    • 根仕様としてスコープを定義
    • 2012年度に議論した仕様項目を根仕様からの枝仕様として提案
  • リンク層について仕様のまとめ
  • ASET終了に伴い産業総合技術研究所へ引き継ぎTSVについて協業

2012年度成果

  • 本会議を6回,サブワーキングを8回開催
  • 前期セミナーにて,「車載半導体の技術革新の方向性」として3D-ICの応用について報告
  • 物理層仕様案として英語によるJEITA Technical Information, “Multi-Chip Interface Specification On Three Dimensional Integrated Circuit”をドラフトしHP上で公開
    • JEITA用技術情報としても提出
    • ASETとの協業により,TSVリファレンス仕様についてドラフト記載
  • 国際発信のための英語版HPを作成

  →活動内容詳細のページへ

2011年度成果

2011年度成果(3D半導体準備PG)

  • 3D半導体準備PGとして活動し、標準化の必要性と標準化対象についてまとめた。成果は、2011年度のセミナーで発表。
  • 標準化必要性について
    • ヒアリングによる技術動向調査と標準化に対する課題の共有
    • リファレンスモデルの想定
    • メンバからの標準化要求に対する意見収集とまとめ
  • 標準化項目絞込み対象について、次の3分野に分けて意見をまとめた
    • チップ間インターフェース仕様
    • 実装設計、熱設計、信頼性設計
    • EDAツール、テスト
  • 3D-IC関連の取り組みについて、他グループの動向調査をした
    • JEDEC、SEMI、iMEC、Si2などとの関係性
    • ASETからの評価仕様の提案と標準化議論
    • EDA技術専門委員会委員のとりくみ
  • 3D半導体SC発足のための推進案の策定
    • 2012年度に本格的な標準化を推進するために、対象をチップ間インターフェース仕様、特にマルチチップを想定した場合のSoC/ASICなどロジック間インターフェースに絞って標準化を進めることにした。