半導体パッケージ電気特性サブコミッティ活動状況

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2016年度活動計画

  • 3D半導体特性検証の実施
    • 2015年度成果をベースに追加検証等を実施し、特性の指針や推奨モデリング手法等の提案検討を行う。
  • 3D-ICをターゲットとした、Wide-IOのSI/PI解析の技術動向調査を実施するとともに上記3D半導体特性検証での推奨モデリング手法等、IEC提案に向けた検討を継続実施する。
  • 活動成果物の還元(Web による技術レポート公開) 

2015年度成果

2015年度成果

    3D半導体実現性事前検討の実施

  • Chip間の超ワイドI/OバスをターゲットとしたSiインターポーザ/樹脂インターポーザ設計データ(CAD)を使用してPower Integrity評価実施。
  • ・ Siインターポーザ要素解析

    ・ 全体解析

       - VDDQ-VSSインピーダンス算出

       - Worst電流パターンにてVDDQ電源変動(ノイズ)算出

    目標を概ね満足することを確認。

    - パワーインテグリティー解析報告書

2014年度成果

2014年度成果

2013年度成果

2013年度成果

3D半導体SCが提案するI/F仕様の標準化に関し、右図に示す構造が現実的な基板配線ルールで実現でき、かつ、所望の特性が得られる事をシミュレーションを用いて事前検証(2014年度)するため設計仕様書を策定。

2012年度成果

  • LSIパッケージの電源/GNDモデル抽出について
  • 計算考慮すべき隣接配線指針について
  • 特性インピーダンス設計時の隣接信号線の取扱いについて

2011年度成果

2010年度成果

2009年度成果

  • Flip Chip BGAパッケージの最適電気特性モデリング手法について
    • TEGを用いた波形シミュレーション結果より、集中定数ベースの回路記述は精度が下がる恐れがあり、Flip Chip BGA パッケージの電気特性パラメータを記述するには、S-para メータベースの記述が必要。
  • 簡略化モデルで解析する場合の隣接配線の扱いについて
    • 隣接配線をフローティング設定にするより GND 設定にした方が、元の回路特性に近い特性が得られる。但し、元の回路としては50Ω終端系と RC 終端系(50Ω抵抗に並列な1pF)を考えた場合である。特に C 終端でかつ高周波の場合、GND 設定はオリジナルに近い特性となる。
    • 二次元電磁界解析上で GND/Floating 設定する方法と、回路上で GND/Floating 終端する方法のどちらでモデリングを行っても、結果に大きな差は生じない。

2008年度成果

2007年度成果

  • PKG電源ノイズ(同時切り替えノイズ)解析技術
  • PKG電気特性実効パラメータ抽出手法の検討